Samsung ha anunciado a 850 EVO, su nueva línea de unidades de discos de estado sólido (SSD), dotada de diversas opciones de capacidad -desde 120 GB hasta 1 TB- y ofreciendo velocidades de lectura secuencial de hasta 540 megabytes por segundo (MB/s) así como velocidades de escritura de hasta 520 MB/s.

Fuentes de la líder surcoreana informaron que esta nueva gama está basada en la tecnología 3D Vertical NAND (V-NAND) de 3-bit de Samsung. Además, resaltaron que los SSD 850 EVO -disponibles a finales de este mes en 53 países de los mercados de Europa, Estados Unidos y Asia- proporcionan un notable salto de rendimiento y resistencia comparados con su predecesor –el SSD 850 PRO, lanzado en julio, que utiliza una tecnología 2-bit 3D V-NAND-

“La serie 850 EVO está construida con tecnología 3-bit 3D V-NAND. Esto la convierte en idónea para su uso por parte del público general y usuarios avanzados en dispositivos como los portátiles y los PCs para gaming”, acotaron los informantes.

En lo que respecta a otras características de Samsung SSD 850 EVO, de igual manera se conoció que dispone de tecnología TurboWrite de Samsung, que hace que la versión de 1 TB alcance velocidades de escritura aleatoria de hasta 90.000-IOPS.

Por otra parte, se supo que los modelos de 500 GB y 1 TB, ofrecen fiabilidad con 80 GB de datos escritos diarios durante cinco años.

En agenda

Para 2015, Samsung tiene programado el lanzamiento de una línea ampliada 850 EVO en los formatos mSATA y M.2, también basados en tecnología 3-bit V-NAND.

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